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Transfer Doping (transfer + doping)

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Selected Abstracts

Innentitelbild: Surface Passivation and Transfer Doping of Silicon Nanowires (Angew. Chem.

ANGEWANDTE CHEMIE, Issue 52 2009
52/2009)
Das große Oberfläche-Volumen-Verhältnis von Nanomaterialien könnte ein effizientes Dotieren durch Oberflächenpassivierung und Adsorption erleichtern. In der Zuschrift auf S.,10,080,ff. beschreiben R.,Q. Zhang, S.,T. Lee et,al. die Oberflächenpassivierung und Transferdotierung in Siliciumnanodrähten (SiNWs, siehe Bild) durch Absättigung der Oberfläche mit Wasserstoffatomen und Adsorption von Ammoniakmolekülen , eine Alternative zum üblichen Volumendotieren, um die Leitfähigkeit von SiNWs oder anderen Nanomaterialien zu modulieren. [source]

Surface Passivation and Transfer Doping of Silicon Nanowires,

ANGEWANDTE CHEMIE, Issue 52 2009
Chun-Sheng Guo
Aufgesetztes Verhalten: Das Verändern der Oberfläche von Siliciumnanodrähten (SiNWs) durch unterschiedliche Endgruppen und/oder Adsorbate kann die elektrischen Eigenschaften der SiNWs beeinflussen. Durch eine solche zerstörungsfreie Modifizierung lässt sich die Leitfähigkeit von SiNWs für potenzielle Anwendungen anpassen. [source]

Surface Transfer Doping of Diamond.

CHEMINFORM, Issue 40 2004
P. Strobel
Abstract For Abstract see ChemInform Abstract in Full Text. [source]

Hydrogenation and oxygenation of the (100) diamond surface and the consequences for transfer doping

PHYSICA STATUS SOLIDI (A) APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, Issue 11 2005
S. J. Sque
Abstract Ab initio density-functional-theory calculations have been performed to determine the structural and electronic properties of the (100) diamond surface with various hydrogen and oxygen terminations. Total energies indicate that an ,OH-terminated surface is favoured over an oxygenated surface plus gas-phase hydrogen. Ionisation potentials and electron affinities (EAs) are reported for the different systems, and the distinction is made between bulk- and surface-related properties. A first-order correction is used to offer estimated surface EAs. A negative bulk EA is found for surfaces terminated with ,H and ,OH groups, although many surfaces have deep traps which can act as positive EA in the absence of band bending. (© 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) [source]